谷银基金行业月度简报 | 半导体公司业绩景气，行业持续向好
导语：全球半导体超级景气度周期持续，集成电路作为战略性最高行业，继续加大力度，我国建立完整的、具有独立自主核心技术的半导体工业体系，需要不断推进存储器芯片战略进程，推动制造、设备、材料等突破。
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半导体关键核心技术：同步电子辐射极紫外光刻光源
半导体集成电路制造总体分为前端晶圆制造和后端封装测试两大部分，其中晶圆制造是代表国家竞争力的技术和资本密集型产业，其工艺和设备是我国重点发展的、落后并受制于西方的主要战略领域之一。目前国际半导体集成电路量产前沿为14/16nm 线宽技术，新一代7/5nm 线宽技术预计分别于2018年初和2020年进入量产。实现这些技术进步的关键是光刻技术，而极紫外光刻是其中唯一适合量产的技术。目前的极紫外光刻技术采用激光等离子体光源，其功率已经达到理论最大值，无法满足下一代晶圆量产的要求，需要颠覆式技术取代。本技术是目前唯一已知的此种颠覆式技术，是下一代半导体晶圆制造的重大关键核心技术。
极紫外光刻
光刻是通过光学系统将掩模版上的图形转移至涂满光胶的硅片上，从而在后者表面制成器件、电路和系统的过程。随着由线宽定义的器件尺寸循著名的摩尔定律不断缩小，用于光刻的光源波长必须随之减小。目前该波长已进入10-15nm的极紫外波段，采用大功率二氧化碳脉动激光激发光源内锡微珠产生等离子体，发射13.5nm波长的极紫外辐射完成光刻制程(如图1)。此技术产生光子散粒噪声，导致光源光学系统污染和制成器件边缘粗糙，而二氧化碳激光的有限功率也将激光等离子体光源的功率限制在250瓦以内，无法满足产量成本要求，是极紫外光刻乃至整个下一代晶圆制造的关键技术难题。本项目采用缩微同步辐射光源替代激光等离子体光源应用于极紫外光刻，将光源功率由后者的125-250瓦提高到1000-10000瓦，有效克服光子散粒噪声、改进器件边缘粗燥度，将光源集电光学系统的寿命由几个月无限延长，将设备正常使用率由65-70%提高至95%以上，将占用车间地表场地面积由4x4米(如图2)缩小至忽略不计，并无需耗材，将每台设备年保养成本由800万美元将低至300 万美元以下，使得7nm及以下线宽的半导体晶圆大规模商业量产成为可能，是目前已知的7nm及以下线宽商业量产的唯一实现途径。
热点、趋势、动态
半导体巨头公司呈现高成长性，反应出全球半导体超级景气周期持续
近期海外巨头公司最新财报陆续发布，我们对各家财报进行前瞻深度分析，对当前已发布巨头财报业绩及展望情况进行汇总如下：
图表3：海外半导体巨头半年报情况及展望指引汇总
从细分领域来看，存储>模拟>逻辑（HPC）>设备>代工，材料中硅片主流厂商Siltronic仍呈现高成长
存储板块仍然是成长性最为突出的板块。已披露的四家海力士、美光、旺宏、华亚科增速均超过70%，此外有利基型存储业务的Cypress在18H1也实现扭亏、18Q2同比288%的大幅增长！在供给难以开出、服务器/手机/笔记本/4K/AI需求带动下DRAM今年仍将保持供需偏紧状态，海力士、华亚科DRAM ASP环比同比继续提升。而NAND Flash随着64/72层3D NAND供给增加、消费级应用需求疲软的情况下价格预计持续修正，但从出货量上来看在数据中心、爆发式数据增长、SSD渗透率提升带动下NAND Flash在未来数年仍将呈现高速增长。
除存储外，以德州仪器、MPS、意法半导体为代表的模拟族群呈现稳定高成长性，从厂商口径来看供给层面8寸代工涨价传导，汽车、物联网以及工业控制带动的MCU、传感器、电源芯片、功率器件需求量提升是最大驱动！我们此前强调8寸代工受到设备、硅片等因素钳制难以大幅扩张新产能，指纹、CIS、电源IC、MOSFET相互挤占产能；而需求端来看，汽车、工控、新能源、电源管理（尤其虚拟货币矿机电源）、LED照明、手机双摄、无线充电/快充等对MOSFET、二极管、被动元器件用量需求大幅提升，本质来看就是硅含量的持续提升，供给-需求形成完美闭环。
在逻辑、设备、代工以及材料领域，我们可以看到Intel受益数据中心、IoT、存储业务增长以及税改增速超过60%，AMD受益Radeon强势增长、Ryzen持续成长Q2同比增速超过800%大超预期，CPU/GPU领域有望迎来市占率提升；代工领域联电受益8寸产能满载、ASP提升业绩增速超60%；硅片厂商Siltronic受益硅片剪刀差，Q2全线超预期，同时上调全年展望。
上市公司动态
【兆易创新】：二季度从产业来看NOR、NAND单月出货量环比、同比均显著增长，从代工厂华力微、中芯国际来看中大容量占比显著提升，迈出产品结构升级第一步；同时大客户导入节奏继续加快；SLC NAND市场极度紧缺，北京厂SLC NAND预计近期开始大批量投片。同时合肥DRAM战略项目6月份已经开始正式流片，整体来看进展有序，预计年底实现10%良率突破，并在明年陆续进行良率和产能的爬坡。
【三安光电】：目前LED芯片产业呈现产能向大陆转移、行业集中度提升两大趋势，三安通过扩产提升份额+创新技术研发，技术进步加规模优势带动成本下降，从而抵消短期价格波动对毛利率影响。预计公司今明两年通过持续扩产，占据全球绝对领先地位，行业格局日趋稳定龙头强者恒强！从普通照明、背光源、装饰到汽车照明、mini LED/microLED，公司通过产品技术研发持续提升产品附加值。此外从LED到化合物半导体，有望进一步打开成长空间。
【北方华创】：近期公司产品在多晶硅刻蚀、PVD、单片退火、立体氧化炉及清洗设备已经达到28nm制程要求，17年累计流片量大幅提升！部分细分领域14nm已经开始验证。长期公司产品布局齐全，重要节点加速突破，与客户持续建立战略关系，成长为半导体设备巨头的潜质渐显。随着国内中芯国际、长江存储、合肥长鑫、华虹半导体等项目的落地、扩产，公司硅刻蚀、PVD、清洗、氧化炉等设备陆续取得订单，未来3年有望继续迎来放量；
【中芯国际】（港股）：中芯国际是国内先进制程代工绝对龙头，从产业了解目前公司14nm研发进展超预期，关注后续客户demo产品导入研发进展，有望提起实现风险试生产及规模化量产。同时今年28nm产品结构预计进行改善，进一步提升high k产品占比；
【华虹半导体】（港股）：我们看好8寸景气度持续性，公司硅片与sumco、信越锁量锁价，受益下游mosfet、sj、igbt、pmic等持续提升，公司有望通过产品结构改善、有序调价获益！华虹8寸厂的发展空间主要在于FAB 3，目前有1万多片扩产空间，2-3年三个8寸厂目标11-12亿美金营收；无锡厂预计明年年中建成，下半年move in，年底形成1万片产能，后续三年持续产能爬坡；
【士兰微】：士兰微深耕功率半导体IDM，有望率先实现白电国产替代。士兰作为国内少有的IDM模式厂商，长期积累实现高压集成电路、IGBT功率器件、IPM智能功率模块突破，短期有望实现白电空冰洗功率模块国产替代，长期来看工控、光伏逆变、汽车功率模块三大方向有望打开更大成长空间。电动化趋势下，电机逆变器、充电模块带来功率器件用量数倍增长。通过持续重磅加码，未来数年公司有望迎来产能持续释放，进入快速成长期。公司现有5寸、6寸、8寸厂各一座，其中5/6寸线产能稳定，8寸线正处于产能爬坡阶段，8寸代工景气大趋势下有望迅速迎来利用率提升、客户导入和产品结构提升；
【精测电子】：业绩持续高增速，面板到半导体布局步步为营。面板检测方面公司主要服务京东方的Module段和Cell 段，从公司Q2公告来看陆续中标京东方/华星光电宏观缺陷检查机、手动模组测试机、模组检查机等中前道市场逐步打开成长空间。半导体检测方面公司6月19日设立上海子公司是继携手IT&T之后再次加码半导体检测之举，此前合资公司主要定位存储器等检测，此次上海子公司将通过构建研发团队及外延等加快布局，从面板到半导体检测有望复制新的精测。
